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    • 序號

      專利號

      專利名稱

      授權公告日

    • 70

      201610631795.5

      在圖形化氮化鎵單晶襯底上制備氮化鎵發光二極管的方法

      2019-04-24

    • 71

      201610611552.5

      一種用于清洗Source的支架

      2019-04-24

    • 72

      201610598446.8

      一種垂直式HVPE設備用溫場改善裝置

      2019-04-24

    • 73

      201610611553.X

      一種HVPE設備用鎵舟反應器

      2019-04-24

    • 74

      201610373655.2

      一種在HVPE中高速率穩定生長GaN晶體材料的方法

      2019-04-24

    • 76

      201610141887.5

      一種無損傷的GaN襯底激光剝離方法

      2019-04-24

    • 77

      201610029138.3

      一種在Si襯底上制備高遷移率AlGaNGaN電子功率器件的方法

      2019-04-24

    • 78

      201610017711.9

      一種氮化物單晶生長裝置和方法

      2019-04-24

    • 79

      201510656861.X

      一種聯動可調節的隔熱保溫裝置及使用方法

      2019-04-24

    • 81

      201510519116

      一種大型垂直式HVPE反應室的裝配輔助裝置

      2019-04-24

    • 82

      201510443168.4

      一種清除HVPE設備管道尾氣沉積物的裝置及方法

      2019-04-24

    • 86

      201510060950.8

      一種用于氣相外延生長半導體單晶材料的反應器

      2019-04-24

    • 87

      201510054617.6

      一種鎵源自動補給及回收裝置

      2019-04-24

    • 88

      201410686083.4

      一種在Si襯底上采用碳納米管作為周期性介質掩膜制備低位錯密度GaN薄膜的方法

      2019-04-24

    • 89

      201410687721.4

      一種在Si襯底上制備無裂紋GaN薄膜的方法

      2019-04-24

    • 90

      201410650342.8

      一種異質襯底表面改性調控基片彎曲度的方法

      2019-04-24

    • 91

      201410520437.8

      一種MOCVD中InN/LT-AlN復合應力釋放緩沖層技術

      2019-04-24

    • 94

      201410421647.1

      一種在大尺寸Si襯底上制備高電子遷移率場效應晶體管的方法

      2019-04-24

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