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序號
專利號
專利名稱
授權公告日
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70
201610631795.5
在圖形化氮化鎵單晶襯底上制備氮化鎵發光二極管的方法
2019-04-24
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71
201610611552.5
一種用于清洗Source的支架
2019-04-24
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72
201610598446.8
一種垂直式HVPE設備用溫場改善裝置
2019-04-24
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73
201610611553.X
一種HVPE設備用鎵舟反應器
2019-04-24
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74
201610373655.2
一種在HVPE中高速率穩定生長GaN晶體材料的方法
2019-04-24
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76
201610141887.5
一種無損傷的GaN襯底激光剝離方法
2019-04-24
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77
201610029138.3
一種在Si襯底上制備高遷移率AlGaNGaN電子功率器件的方法
2019-04-24
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78
201610017711.9
一種氮化物單晶生長裝置和方法
2019-04-24
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79
201510656861.X
一種聯動可調節的隔熱保溫裝置及使用方法
2019-04-24
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81
201510519116
一種大型垂直式HVPE反應室的裝配輔助裝置
2019-04-24
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82
201510443168.4
一種清除HVPE設備管道尾氣沉積物的裝置及方法
2019-04-24
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86
201510060950.8
一種用于氣相外延生長半導體單晶材料的反應器
2019-04-24
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87
201510054617.6
一種鎵源自動補給及回收裝置
2019-04-24
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88
201410686083.4
一種在Si襯底上采用碳納米管作為周期性介質掩膜制備低位錯密度GaN薄膜的方法
2019-04-24
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89
201410687721.4
一種在Si襯底上制備無裂紋GaN薄膜的方法
2019-04-24
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90
201410650342.8
一種異質襯底表面改性調控基片彎曲度的方法
2019-04-24
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91
201410520437.8
一種MOCVD中InN/LT-AlN復合應力釋放緩沖層技術
2019-04-24
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94
201410421647.1
一種在大尺寸Si襯底上制備高電子遷移率場效應晶體管的方法
2019-04-24
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